سندرم مرگ ناگهاني پنتيوم 4

[Hidden]

سندرم مرگ ناگهاني پنتيوم 4
مي‌دانيد كه فلزات در حالت جامد ساختار بلوري يا كريستالي دارند و اتم‌هاي فلزي مانند آلومينيوم يا مس در ساختار‌هاي كريستالي منظم در جاي خود تقريباً ثابت هستند. اما در شرايطي مانند اعمال جريان‌هاي الكتريكي قوي، در پديده‌اي موسوم به مهاجرت‌ الكتروني (electromigration)، ممكن است چند اتم فلز از جاي خود در ساختار كريستالي كَنده شده و در جهت ميدان الكتريكي حركت كنند.

در چنين حالتي، اصطلاحاً گفته مي‌شود كه يك يا چند حفره در بلور فلزي برجاي مي‌ماند. يكي از اثرات چنين پديده‌اي آن است كه ضريب هدايت الكتريكي چنين فلزي در اين شرايط كاهش مي‌يابد. اين موضوع در كارايي پردازنده‌ها اثر نامطلوبي برجاي مي‌گذارد (مثلاً باعث افزايش دماي تراشه پردازنده مي‌شود). در هر صورت، يكي از دلايل جايگزيني فلز مس به‌جاي آلومينيوم همين ماجراي مهاجرت الكتروني است كه آلومينيوم در مقايسه با مس، آسيب‌پذيري بيشتري در برابر اين پديده دارد.
نخستين گروه پردازنده‌هاي پنتيوم چهار اينتل،‌ در مواردي كه كاربران اين پردازنده‌ها را در شرايط overclock قرار مي‌دادند، به‌نوعي از كار مي‌افتادند كه بعدها به بيماري مرگ ناگهاني مشهور گشت
(در شرايط overClock پردازنده تحت ولتاژ و درنتيجه جريان الكتريكي بالاتري نسبت به مقدار توصيه شده سازنده قرار داده مي‌شود.)
در حقيقت اين پردازنده‌ها كه به‌نوعي نخستين خروجي خط توليد پردازنده‌هاي اينتل بود كه از فلز مس در آنها استفاده مي‌شد، دچار نقصي بود كه پديده مهاجرت الكتروني در آن نسبتاً به‌راحتي روي مي‌داد. نيازي به يادآوري نيست كه اينتل اين مسئله را به‌سرعت رفع كرد و در پردازنده‌هاي پنتيوم كنوني به‌هيچ وجه چنين پديده‌اي ديده نمي‌شود.

غربال كردن
توليد ساندويچ‌هاي پيچيده تشكيل شده از لايه‌هاي متعدد سيليكون، فلز و مواد ديگر، فرايندي است كه ممكن است روزها و حتي هفته‌ها به‌طول انجامد. در تمامي اين مراحل، آزمايش‌هاي بسيار دقيقي بر روي ويفر سيليكوني انجام مي‌شود تا مشخص شود كه آيا در هر مرحله عمليات مربوطه به‌درستي انجام شده‌اند يا خير. علاوه بر آن در اين آزمايش‌ها كيفيت ساختار بلوري و بي‌نقص ماندن ويفر نيز مرتباً آزمايش مي‌شود. پس از اين مراحل، چيپ‌هايي كه نقص نداشته باشند، از ويفر بريده مي‌شوند و براي انجام مراحل بسته‌بندي و نصب پايه‌هاي پردازنده‌ها به بخش‌هاي ويژه‌اي هدايت مي‌شوند.
اين مراحل واپسين هم داراي پيچيدگي‌هاي فني خاصي است. به عنوان مثال، پردازنده‌هاي امروزي به علت سرعت بسيار بالايي كه دارند، در حين كار گرم مي‌شود. با توجه با مساحت كوچك ويفر پردازنده‌ها و ساختمان ظريف آنها، درصورتي‌كه تدابير ويژه‌اي براي دفع حرارتي چيپ‌ها انديشيده نشود، گرماي حاصل به چيپ‌ها آسيب خواهد رساند. بدين معني كه تمركز حرارتي چيپ به حدي است كه قبل از جريان يافتن شار حرارتي به رادياتور خارجي پردازنده، چيپ دچار آسيب خواهد شد. براي حل اين مشكل، پردازنده‌هاي امروزي در درون خود داراي لايه‌هاي توزيع دما هستند تا اولاً تمركز حرارتي در بخش‌هاي كوچك چيپ ايجاد نشود و ثانياً سرعت انتقال حرارت به سطح چيپ و سپس خنك كننده خارجي، افزايش يابد.
اما چيپ‌هاي آزمايش شده باز هم براي تعيين كيفيت و كارايي چندين‌بار آزمايش مي‌شوند. واقعيت آن است كه كيفيت پردازنده‌هاي توليد شده حتي در پايان يك خط توليد و در يك زمان، ثابت نيست و پردازنده‌ها در اين مرحله درجه‌بندي مي‌شوند! (مثل ميوه‌ها كه در چند درجه از نظر كيفيت طبقه‌بندي مي‌شوند). برخي از پردازنده‌ها در پايان خط توليد واجد خصوصياتي مي‌شوند كه مي‌توانند مثلاً تحت ولتاژ‌ يا فركانس بالاتري كار كنند. اين موضوع يكي از دلايل اصلي تفاوت قيمت پردازنده‌ها است.
گروه ديگري از پردازنده‌ها، دچار نقص در بخش‌هايي مي‌شوند كه همچنان آنها را قابل استفاده نگاه مي‌دارد. به عنوان مثال، ممكن است برخي از پردازنده‌ها در ناحيه حافظه نهان (Cache) دچار نقص باشند. در اين موارد، مي‌توان به‌روش‌هايي بخش‌هاي آسيب ديده را از مدار داخلي پردازنده خارج ساخت. بدين‌ترتيب پردازنده‌هايي به‌دست مي‌آيند كه مقدار حافظه نهان كمتري دارند.
بدين ترتيب پردازنده‌هايي مانند Celeron در اينتل و Sempron در شركت AMD، در خط توليد پردازنده‌هاي Full cache اين شركت‌ها نيز توليد مي‌شوند