ساخت RAM مغناطيسي براي حافظه رايانهها
ارسال شده: پنجشنبه ۶ اردیبهشت ۱۳۸۶, ۱:۵۹ ب.ظ
دانشمندان کره جنوبي از ساخت RAM مغناطيسي براي حافظه رايانه ها خبر دادند.
به گزارش باشگاه خبرنگاران ، وزارت علوم و فناوري کره جنوبي اعلام کرد، دانشمندان اين کشور نوع جديدي از RAM مغناطيسي را ساخته اند که نسل آتي تراشه هاي رايانه اي به شمار مي رود.
پروفسور کيم بانگ سو سرپرست تيم تحقيقاتي" موسسه عالي علوم و فناوري کره" در همين خصوص اظهار کرد: پيش بيني مي شود اين RAM مغناطيسي گام بزرگ بعدي در زمينه تراشه ها باشد، چرا که از ظرفيت ذخيره داده هاي بيشتري برخوردار بوده و مي تواند در مقايسه با نيمه هادي هاي موجود بين 100 تا 1000 بار سريع تر به کنترل داده ها بپردازد.
وي افزود : ما براي نخستين بار نشان داديم سيليکون کبالت که ذاتا مغناطيسي نيست، در صورتي که در خطوط نانو متري فرا ميکروسکوپيک توليد شود، مي تواند مغناطيس قوي توليد کند.
بر اساس گزارش روزنامه چوسان، محققان با استفاده از همين فرآيند قادر به ساخت RAM مغناطيسي سه بعدي خواهند شد. نتايج اين تحقيق در معتبرترين نشريه فناوري نانو موسوم به Nano Letters منتشر شده است.
منبع: باشگاه خبرنگاران جوان
به گزارش باشگاه خبرنگاران ، وزارت علوم و فناوري کره جنوبي اعلام کرد، دانشمندان اين کشور نوع جديدي از RAM مغناطيسي را ساخته اند که نسل آتي تراشه هاي رايانه اي به شمار مي رود.
پروفسور کيم بانگ سو سرپرست تيم تحقيقاتي" موسسه عالي علوم و فناوري کره" در همين خصوص اظهار کرد: پيش بيني مي شود اين RAM مغناطيسي گام بزرگ بعدي در زمينه تراشه ها باشد، چرا که از ظرفيت ذخيره داده هاي بيشتري برخوردار بوده و مي تواند در مقايسه با نيمه هادي هاي موجود بين 100 تا 1000 بار سريع تر به کنترل داده ها بپردازد.
وي افزود : ما براي نخستين بار نشان داديم سيليکون کبالت که ذاتا مغناطيسي نيست، در صورتي که در خطوط نانو متري فرا ميکروسکوپيک توليد شود، مي تواند مغناطيس قوي توليد کند.
بر اساس گزارش روزنامه چوسان، محققان با استفاده از همين فرآيند قادر به ساخت RAM مغناطيسي سه بعدي خواهند شد. نتايج اين تحقيق در معتبرترين نشريه فناوري نانو موسوم به Nano Letters منتشر شده است.
منبع: باشگاه خبرنگاران جوان